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功率半导体双脉冲测试分析

设计功率转换器时,理想状态下的功率损失为0%,如图2 所示。




然而,开关损耗是不可避免的。因此,目标是通过设计 优化来*小化损失。与效率相关的设计参数必须经过严 格的测量。 典型的转换器效率约为87% 到90%,这意味着10% 到 13% 的输入功率在转换器内部消耗掉,大部分以废热的 形式。这种损失的一大部分发生在开关设备如MOSFET 或IGBT 上。[2]

理想情况下,开关设备只有“开”或“关”两种状态,如 图3 所示,并能瞬间在这两种状态间切换。在“开”状态时, 开关的阻抗为零欧姆,无论通过开关的电流有多大,都不 会在开关中耗散任何功率。在“关”状态时,开关的阻抗 为无限大,无电流流过,因此不耗散任何功率。 然而,实际上在“开”到“关”(关断)和“关”到“开”(开 通)的转换过程中会耗散功率。这些非理想行为是由于电 路中的寄生元件造成的。如图4 所示,门极上的寄生电容 会减缓器件的切换速度,延长开通和关断时间。MOSFET 的漏极和源极之间的寄生电阻在漏电流流动时会耗散功 率。

还需要考虑MOSFET 体二极管的反向恢复损失。二极 管的反向恢复时间是衡量二极管切换速度的一个指标, 因此会影响转换器设计中的切换损失。

因此,设计工程师需要测量所有这些时间参数,以尽量 减少切换损失,从而设计出更高效的转换器。

**的测试方法来测量MOSFET 或IGBT 的切换参数 是“双脉冲测试”方法。本应用说明将描述双脉冲测试 及其实施方式。具体来说,本应用说明将解释如何使用 Tektronix AFG31000 任意函数发生器生成脉冲,并使 用4、5 或6 系列MSO 示波器测量重要参数。

什么是双脉冲测试?

双脉冲测试是一种测量功率设备的切换参数和评估动态 行为的方法。使用这种应用的用户通常希望测量以下切换 参数:

  • 开通参数:开通延迟(t d(on))、上升时间(tr)、开通时间(t on)、 开通能量(Eon)、电压变化率(dv/dt)和电流变化率(di/ dt)。然后确定能量损失。
  • 关断参数:关断延迟(td(off ))、下降时间(tf)、关断时 间(toff)、关断能量(Eoff)、电压变化率(dv/dt)和电 流变化率(di/dt)。然后确定能量损失。
  • 反向恢复参数:反向恢复时间(trr)、反向恢复电流(Irr)、 反向恢复电荷(Qrr)、反向恢复能量(Err)、电流变化率(di / dt)和正向导通电压(Vsd)。

此测试的执行目的是:

  • 保证像MOSFET 和IGBT 这类功率设备的规格。
  • 确认功率设备或功率模块的实际值或偏差。
  • 在各种负载条件下测量这些切换参数,并验证多个设备的 性能。

图5 展示了一个典型的双脉冲测试电路。


图5:双脉冲测试电路。

该测试使用感应负载和电源进行。电感用于复制转 换器设计中的电路条件。电源用于向电感提供电压。 AFG31000 用于输出脉冲,这些脉冲触发MOSFET 的 门极,从而使其开启并开始导电。


图6 展示了使用MOSFET 进行双脉冲测试时不同阶段 的电流流向。使用IGBT 作为待测设备时的电流流向如 图7 所示。


图8 展示了在低侧MOSFET 或IGBT 上取得的典型测量数据。以下是双脉冲测试的不同阶段(这些阶段对应图6、 图7 和图8)

  • **步,由**次开**冲代表,是初始调整的脉宽。这 建立了电感中的电流。调整此脉冲以达到图8 所示的所需 测试电流(Id)。
  • **步(2)是关闭**个脉冲,这在自由轮二极管中产 生电流。关断周期很短,以保持电感中的负载电流尽可能 接近恒定值。图8 显示低侧MOSFET 上的Id 在**步 归零;然而,电流通过电感和高侧二极管流动。这可以在 图6 和图7 中看到,电流通过高侧MOSFET(未被开通的 MOSFET)的二极管流动。
  • 第三步(3)由**次开**冲代表。脉冲宽度比**次脉 冲短,以防设备过热。**个脉冲需要足够长,以便进行 测量。图8 中看到的电流超调是由于高侧MOSFET/IGBT 的自由轮二极管反向恢复所致。
  • 然后在**次脉冲的关断和**次脉冲的开通时捕获关 断和开通时间测量。

下一部分将讨论测试设置和测量方式。

双脉冲测试设置

图9 展示了进行双脉冲测试的设备设置。需要以下设备:

  • AFG31000:连接到隔离门驱动器,并使用设备上的双脉 冲测试应用快速生成不同脉宽的脉冲。隔离门驱动器用于 开通MOSFET。
  • 示波器:4/5/6 系列MSO(此设置使用Tektronix 5 系列 MSO):测量VDS、VGS 和ID。
  • 示波器上的双脉冲测试软件:4/5/6 系列MSO 上的Opt. WBG-DPT,用于自动化测量。
  • 用于低侧设备和高侧二极管反向恢复的探头:

    低侧探测:

    • – Ch1:VDS - TPP 系列或THDP/TMDP 系列电压探头
    • – Ch2:VGS - TPP 系列或带MMCX 适配器**的TIVP 隔 离探头。
    • – Ch3:ID - TCP 系列电流探头

    高侧探测:

    • – Ch4:IRR - TCP 系列电流探头
    • – Ch5:VDS - THDP/TMDP 系列电压探头
  • 直流电源

    高压电源:

    • – EA-PSI 10000 可编程电源,*高2 千伏,30 千瓦
    • – 2657A 高压源表单元(SMU),*高3 千伏
    • – 2260B-800-2,可编程直流电源,*高800 伏

    门驱动电路电源:

    • – 2230 系列或2280S 系列直流电源

AFG31000 上的双脉冲应用

AFG31000 的双脉冲测试应用可以直接从tek.com 网站下载,并安装到AFG31000 上。图10 展示了双脉冲测试应 用在AFG31000 主屏幕上的图标,该应用被下载并安装到设备上后即可见。

双脉冲测试应用让用户能够创建具有不同脉宽的脉冲,这一直是主要的用户痛点,因为创建具有不同脉宽的脉冲的 方法耗时。这些方法包括在PC 上创建波形并上传到函数发生器。其他方法是使用需要大量编程工作和时间的微控 制器。AFG31000 上的双脉冲测试应用使得用户能够直接从前端显示屏进行操作。该应用直观且快速设置。**个 脉宽调整以获得所需的开关电流值。**个脉冲也可以独立于**个脉冲进行调整,通常比**个脉冲短,以防止功 率设备被破坏。用户还可以定义每个脉冲之间的时间间隔。

图11展示了双脉冲测试应用窗口。在这里,用户可以设置:

  • 脉冲数量:2 至30 脉冲
  • 高低电压幅度(V)
  • 触发延迟(秒)
  • 触发源 - 手动、外部或定时器
  • 负载 - 50Ω 或高阻(high Z)

图12 展示了双脉冲测试的实际测试设置。

图12 展示了双脉冲测试的实际测试设置。

在这个例子中,使用ST Micro-Electronics 的评估板作为N 沟道功率MOSFET 和IGBT 的门驱动器:EVAL6498L, 如图13 所示。

使用的MOSFET 也来自ST Micro-Electronics: STFH10N60M2。这些是N 沟道600V MOSFET,额定 漏电流为7.5A。

测试电路中使用的其他设备和器件包括:

  • 脉泰克(Tektronix) 4、5 或6 系列MSO 示波器
  • 泰克电流探头TCP0030A-120 MHz
  • 泰克高压差分探头:TMDP0200
  • 凯斯利(Kiethley) 直流电源 - 2280S(为门驱动IC 供电)
  • 凯斯利2461 SMU 仪器(为电感供电)
  • 电感:约1 mH

电源连接如下:

  • MOSFET 焊接在电路板上。Q2 是低侧,Q1 是高侧。
  • Q1 的门和源需要短接,因为Q1 不会被打开。
  • Q2 的门电阻已焊接。R = 100Ω。
  • AF31000 的CH1 连接到评估板上的PWM_L 和GND 输 入。
  • 凯斯利电源连接到评估板上的Vcc 和GND 输入,为门驱 动IC 供电。
  • 凯斯利2461 SMU 仪器连接到HV 和GND,为电感供电。
  • 然后将电感连接到HV 和OUT。

双脉冲测试测量

一旦所有电源连接都已**连接,我们可以将示波器的 探头连接到Q2(低侧MOSFET),如图14 所示。

  • 一个被动探头连接到VGS。
  • 差分电压探头连接到VDS。
  • TCP0030A 电流探头通过 MOSFET源引脚上的环路。

细心的探测和优化将帮助用户获得好的结果。用户可以 采取一些步骤来进行准确和可重复的测量,如从测量 中移除电压、电流和时间误差。如4/5/6 系列MSOs 的 WBG-DPT 选项的自动化测量软件消除了手动步骤,节 省时间并提供可重复的结果。

现在可以在AFG31000 上设置双脉冲测试,如图15 所 示的屏幕捕获。

脉冲的幅度设置为2.5 伏。**个脉冲的脉宽设置为10 微秒,间隙设置为5 微秒,**个脉冲设置为5 微秒。触发 设置为手动。

SMU 仪器设置为向HV 源输入100 伏。配置好门驱动信号和电源后,现在可以使用示波器上的WBG-DPT 应用来配 置和执行双脉冲测试。

/5/6 系列MSO 上的双脉冲测试软件

WBG-DPT 应用相较于手动测试提供了几个重要优势:

  • 缩短测试时间
  • 即使在带有振铃的信号上也能实现可重复的测量
  • 根据JEDEC/IEC 标准或使用自定义参数进行测量
  • 预设功能以便于示波器设置
  • 在脉冲之间和注释之间轻松导航
  • 在结果表中总结测量结果
  • 通过报告、会话文件和波形记录结果
  • 完整的编程接口实现自动化
  • 使用可配置的限制和对失败采取的行动进行合格/ 不合 格测试

有关WBG-DPT 应用的更多信息,请参阅数据表。


测量分为开关参数分析、开关定时分析和二极管恢复分 析。

WBG Deskew 功能

脉冲的幅度设置为2.5 伏。**个脉冲的脉宽设置为 10 微秒,间隙设置为5 微秒,**个脉冲设置为5 微秒。 触发设置为手动。

SMU 仪器设置为向HV 源输入100 伏。配置好门驱动 信号和电源后,现在可以使用示波器上的WBG-DPT 应 用来配置和执行双脉冲测试。


图17. WBG Deskew 过程专门用于双脉冲测试,并在信号被获 取后实现电流和电压波形的对齐。






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